AR
C
HIVE INF
O
RMATI
O
N
ARCHIVE INFORMATION
MRF5S9070MR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
37
45
55
27
Ideal
P3dB = 49.78 dBm (94.97 W)
Actual
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
P
out
, OUTPUT POWER (dBm)
VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA
Pulsed CW, 8 μsec (on), 1 msec (off)
Center Frequency = 880 MHz
P1dB = 49.11 dBm (81.54 W)
28 29 30 31 32 33 34 35 36
54
53
52
51
50
49
48
47
46
6
20
1
?80
60
G
18 40ps
10 ?40
ACPR
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. N-CDMA ACPR, Power Gain and
Drain Efficiency versus Output Power
G
ps
, POWER GAIN (dB)
ACPR, ADJACENT CHANNEL POWER RATIO (dBc)
VDD
= 26 Vdc, I
DQ
= 600 mA, f = 880 MHz
12 ?20
Single?Carrier N?CDMA, IS?95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes 8 through 13)
10
16 20
ηD
14 0
8 ?60
ALT
100
8
20
1
10
70
18 60Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
10 20VDD
= 26 Vdc
IDQ
= 600 mA
f = 880 MHz
16 50
14 40
12 30
10
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
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